[发明专利]一种中小尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法无效
| 申请号： | 201210502087.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103022279A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于LED芯片技术领域，具体公开了一种采用背面隐形切割并且切割深度小于25微米的切割工艺，解决了因斜裂问题而导致良率偏低、亮度偏低等技术问题。提高了良品率和LED灯具的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中小 尺寸 芯片 提高 亮度 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种提高亮度和良率的中小尺寸二极管芯片切割崩裂制作方法，其特征在于：在蓝宝石背面镀有DBR光学反射膜，芯片背面切割深度小于25微米，崩裂方式为跳格劈裂方式。
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