[发明专利]包括具有漂移区和漂控区的半导体器件的半导体器件布置无效
| 申请号： | 201210502298.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137704A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及包括具有漂移区和漂控区的半导体器件的半导体器件布置。半导体器件包括源区、漏区、体区以及漂移区。在半导体本体中，漂移区被布置在本体与漏极之间且本体被布置在源极与漂移区之间。栅电极邻近于本体且被栅极电介质与本体介电绝缘。漂移控制区邻近于漂移区且被漂移控制区电介质与漂移区介电绝缘。漏电极毗邻漏极。该器件还包括与漏极相同掺杂类型但被更缓慢地掺杂的注入控制区。该注入控制器毗邻漂移控制区电介质，沿着漂移控制器在第一方向上延伸，并且在第一方向上毗邻漏极且在不同于第一方向的第二方向上毗邻注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 漂移 漂控区 半导体器件 布置 | ||
【主权项】：
一种包括半导体器件的半导体器件布置，所述半导体器件包括；源区、漏区、体区以及漂移区，在半导体本体中，所述漂移区被布置在所述体区与所述漏区之间且所述体区被布置在所述源区与所述漂移区之间；栅电极，其邻近于所述体区且被栅极电介质与所述体区介电绝缘；漂移控制区，其邻近于所述漂移区且被漂移控制区电介质与所述漂移区介电绝缘；与所述漏区的掺杂类型互补的掺杂类型的注入区；漏电极，其毗邻所述漏区；以及与所述漏区为相同掺杂类型但被更缓慢地掺杂的注入控制区，其中，所述注入控制区毗邻所述漂移控制区电介质，沿着所述漂移控制区在第一方向上延伸，并且在所述第一方向上毗邻所述漏区并且在不同于所述第一方向的第二方向上毗邻所述注入区。
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