[发明专利]半导体器件及半导体模块无效
| 申请号： | 201210504640.7 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367333A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 北川光彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件及半导体模块。半导体器件具备包括第1及第2主面的半导体基板，半导体基板具备在半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在第1半导体层的第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在第2半导体层的表面形成的第1导电型的第3半导体层、及在第1半导体层的第2主面侧的表面形成的第2导电型的第4半导体层。器件还具备：控制电极，形成于半导体基板的第1主面侧；及第1主电极，形成于半导体基板的第1主面侧。器件还具备：第2主电极，形成于半导体基板的第2主面侧；及接合终端部，形成于半导体基板的第2主面侧，具有将第4半导体层包围的环状的平面形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体基板，包括第1及第2主面，具有在上述半导体基板内形成的第1导电型的第1半导体层、在上述第1半导体层的上述第1主面侧的表面形成的第2导电型的第2半导体层、在上述第2半导体层的表面形成的上述第1导电型的第3半导体层、及在上述第1半导体层的上述第2主面侧的表面形成的上述第2导电型的第4半导体层；控制电极，形成于上述半导体基板的上述第1主面侧；第1主电极，形成于上述半导体基板的上述第1主面侧；第2主电极，形成于上述半导体基板的上述第2主面侧；及接合终端部，形成于上述半导体基板的上述第2主面侧，具有将上述第4半导体层包围的环状的平面形状。
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