[发明专利]鳍结构制造方法在审
| 申请号： | 201210505449.4 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103854981A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;许淼;罗军;李春龙;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍结构制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成初始鳍；在衬底上形成电介质层，以覆盖初始鳍；通过溅射，对电介质层平坦化处理；进一步电介质层进行回蚀，以露出初始鳍的一部分，该露出部分用作鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍结构的方法，包括：在衬底上形成初始鳍；在衬底上形成电介质层，以覆盖初始鳍；通过溅射，对电介质层平坦化处理；进一步电介质层进行回蚀，以露出初始鳍的一部分，该露出部分用作鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
