[发明专利]平坦化处理方法有效
| 申请号： | 201210505860.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103854966A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;罗军;李春龙;邓坚;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/321 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；去除第一掩蔽层；以及对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种对衬底上形成的材料层进行平坦化的方法，包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；去除第一掩蔽层；以及对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
