[发明专利]静电保护器及制作方法

摘要

本发明涉及静电保护器及制作方法，在上下表面均覆金属板的绝缘基板的上表面通过光刻、蚀刻技术制作成对间隔设置的电极，保证成对电极的偶合电极部相平行间隔排列，成对电极的偶合电极部在相错开正对的侧面之间形成间隔的缝隙，然后通过电镀使得成对电极的偶合电极部之间间隔的缝隙宽度缩窄成为10-50um；在成对电极的偶合电极部之间的10-50um缝隙中印刷多晶纳米压敏材料，该多晶纳米压敏材料在高电压下呈导通状态，在低电压下呈绝缘状态。该静电保护器能够充分利用器件的长度来降低间隔缝隙在释放静电时的电流密度，延长电极的放电寿命，同时10-50um的间隔缝隙保证了较低的电压触发的要求，使得器件对低电压静电具有较好的防护能力。

主权项

一种静电保护器，其特征在于：包括绝缘的基板，该基板的长度大于宽度；一对间隔设置在所述基板的上表面上的电极，每个所述电极均具有沿所述基板的长度方向延伸的偶合电极部，一对所述电极的偶合电极部相平行设置，并沿着所述基板的宽度方向间隔排列，该一对电极的偶合电极部具有沿所述基板的长度方向延伸并且相正对的侧面，该相正对的侧面之间形成宽度10‑50um的缝隙；能够在高电压下呈导通状态并能够在低电压下呈绝缘状态的多晶纳米压敏材料层，该多晶纳米压敏材料层填充在所述一对电极的偶合电极部之间的所述缝隙中；形成所述多晶纳米压敏材料层的多晶纳米压敏材料是由硅橡胶、直径2‑5um的金属粒子、包裹在所述金属粒子表面的20‑400nm的多晶纳米半导体粒子混合而成， 所述多晶纳米半导体粒子是采用氧化镍12‑33%（重量百分比）、锡酸钙8‑29%、钛酸锶7‑35%、氧化硼0.3‑5%以及氧化铋0.2‑4%，经过两次机械化学法并配合550‑900℃高温焙烧合成的，所述多晶纳米半导体粒子能够在高电压下呈导通状态并在低电压下呈绝缘状态。