[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器

摘要

本发明提供了一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。在衬底上沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，从而将氮化硅层分成三部分；在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层；对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；在第一多晶硅层两侧分别形成多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。

主权项

一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一多晶硅层沉积步骤，用于在衬底上沉积第一多晶硅层；氮化硅层沉积及刻蚀步骤，用于在第一多晶硅层上沉积氮化硅层，并对氮化硅层进行刻蚀以在氮化硅层中形成第一凹陷部和第二凹陷部，并在第一凹陷部和第二凹陷部中填充隔离物，从而将氮化硅层分成三部分；第二多晶硅层沉积步骤；用于在氮化硅层上沉积隔离物层以及第二多晶硅层，其中隔离物层以及第二多晶硅层至少覆盖氮化硅层的中间部分，而不覆盖氮化硅层的两侧部分；氮化硅层刻蚀步骤，用于对氮化硅层进行刻蚀，从而去除氮化硅层的两侧部分；隔离侧墙及接触孔形成步骤，用于在第一多晶硅层两侧分别形成第一多晶硅侧墙和第二多晶硅侧墙，在氮化硅层、隔离物层以及第二多晶硅层的叠层两侧分别形成叠层侧墙和叠层侧墙，并且在第一多晶硅层的两侧部分分别形成与第一多晶硅层的两侧部分的表面分别接触的第一接触孔和第二接触孔。