[发明专利]镜像闪存器件及其操作方法

摘要

一种镜像闪存器件及其操作方法，其中，所述镜像闪存器件至少包括：半导体基底，形成于所述半导体基底上的栅极，形成于所述栅极下方的半导体基底中的沟道，分别对称的分布在所述沟道两侧的源极和漏极；其中，所述半导体基底至少包括：与基底相反掺杂类型的离子注入深井，以及位于该深井中且与基底相同掺杂类型的离子注入井，所述沟道形成于所述离子注入井中；所述栅极至少包括采用电荷分离存储材料的浮栅和控制栅。本发明在读操作时利用了栅致漏电流，规避了传统镜像器件对沟道电流的依赖，有利于器件持续缩减。

主权项

一种镜像闪存器件，至少包括：半导体基底，形成于所述半导体基底上的栅极，形成于所述栅极下方的半导体基底中的沟道，分别对称的分布在所述沟道两侧的源极和漏极；其特征在于，所述半导体基底至少包括：与基底相反掺杂类型的离子注入深井，以及位于该深井中且与基底相同掺杂类型的离子注入井，所述沟道形成于所述离子注入井中；所述栅极至少包括用于俘获电荷的浮栅和控制栅，所述浮栅采用电荷分离存储材料。