[发明专利]对凹槽侧墙氧化物回蚀不良影响的改善方法在审
| 申请号： | 201210507628.1 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102945792A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 江红 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种对凹槽侧墙氧化物回蚀不良影响的改善方法。凹槽顶部与凹槽底部沉积厚度不同对凹槽侧墙氧化物回蚀造成不良影响的改善方法包括：第一步骤，用于形成芯片生产过程中需要的具有凹槽的结构；第二步骤，用于在第一步骤所得到的结构上沉积氧化物；第三步骤，用于以与竖直方向成第一倾斜角的方向利用中性原子进行第一次注入；第四步骤，用于以与竖直方向成第二倾斜角的方向利用中性原子进行第二次注入；第五步骤，用于对执行了注入的氧化物进行回蚀。根据本发明的凹槽顶部与凹槽底部沉积厚度不同对凹槽侧墙氧化物回蚀造成不良影响的改善方法能够对凹槽顶部与凹槽底部沉积厚度不同对凹槽侧墙氧化物回蚀造成不良影响进行简单有效的改善并克服。 | ||
| 搜索关键词： | 凹槽 氧化物 不良 影响 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种凹槽顶部与凹槽底部沉积厚度不同对凹槽侧墙氧化物回蚀造成不良影响的改善方法，其特征在于包括：第一步骤，用于形成芯片生产过程中需要的具有凹槽的结构；第二步骤，用于在第一步骤所得到的结构上沉积氧化物；第三步骤，用于以与竖直方向成第一倾斜角的方向利用中性原子进行第一次注入；第四步骤，以与竖直方向成第二倾斜角的方向利用中性原子进行第二次注入；第五步骤，用于对执行了注入的氧化物进行回蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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