[发明专利]半导体测试方法在审
| 申请号： | 201210507629.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102938258A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 张若成;索鑫;钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体测试方法，设定第一基准和第二基准，采用测试机比较待测单元在某一设定值下的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，并由此判断是否合格，如此每次比较所耗时间将在纳秒级别，大大的缩短了单次测试时间，同时便避免了每次都需要进行16次测试，也不需采用编程语言进行选择，进一步的缩短了总的测试时间，同时使得测试操作变得更加简捷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体测试方法，利用测试机测试待测单元的电参数，其特征在于，设定多个预定值、一目标参数、第一基准和第二基准，所述目标参数小于所述第一基准且大于所述第二基准；将一个预定值赋予待测单元，由测试机比较该预定值下待测单元的电参数与所述第一基准和第二基准的关系，若所述电参数在所述第一基准和第二基准之间，则认可该电参数并停止测试，否则继续获得另一个预定值进行测试和判断。
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