[发明专利]一种无线无源电容式气压传感器无效

专利信息
申请号: 201210508579.3 申请日: 2012-12-03
公开(公告)号: CN102967409A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 聂萌;黄庆安;黄见秋;张聪 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01L9/12 分类号: G01L9/12;B81B3/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211189 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种无线无源电容式气压传感器,包括硅衬底、外延单晶硅层、氧化层、金属层和钝化层;硅衬底中设有真空封闭腔,外延单晶硅层连接在硅衬底的顶面;位于真空封闭腔正上方的硅衬底和外延单晶硅层形成可动敏感薄膜层;氧化层连接在外延单晶硅层的顶面,氧化层中设有电容间隙腔;金属层连接在氧化层上方,金属层中设有片上电感;钝化层覆盖在金属层的外表面,钝化层和金属层中设有腐蚀透气孔;在金属层和氧化层中设有下电容极板电引出;对与下电容极板电引出和片上电感底面相连的外延单晶硅层区域进行掺杂,形成磷离子重掺杂扩散区;金属层中还设有上电容极板电引出。该气压传感器采用无线无源元件构成,具有体积小、功耗低的优点。
搜索关键词: 一种 无线 无源 电容 气压 传感器
【主权项】:
一种无线无源电容式气压传感器,其特征在于,该气压传感器包括硅衬底(1)、外延单晶硅层(2)、氧化层(3)、金属层(4)和钝化层(5);硅衬底(1)中设有真空封闭腔(6),位于真空封闭腔(6)正上方的硅衬底(1)上设有硅腐蚀孔,外延单晶硅层(2)连接在硅衬底(1)的顶面;外延单晶硅层(2)延伸至硅衬底(1)的硅腐蚀孔中,位于真空封闭腔(6)正上方的硅衬底(1)和外延单晶硅层(2)形成可动敏感薄膜层(7),该可动敏感薄膜层(7)作为下电容级板;氧化层(3)连接在外延单晶硅层(2)的顶面,且氧化层(3)中设有电容间隙腔(8),电容间隙腔(8)与真空封闭腔(6)相对;金属层(4)连接在氧化层(3)的上方,该金属层(4)中设有片上电感(9);钝化层(5)覆盖在金属层(4)的外表面,钝化层(5)和金属层(4)中设有腐蚀透气孔(10),腐蚀透气孔(10)与电容间隙腔(8)连通;在金属层(4)和氧化层(3)中设有下电容极板电引出(11),下电容极板电引出(11)的顶面与金属层(4)的顶面位于同一平面,下电容极板电引出(11)的底面连接在外延单晶硅层(2)的顶面上;对与下电容极板电引出(11)底面和片上电感(9)底面相连的外延单晶硅层(2)区域进行掺杂,形成磷离子重掺杂扩散区(12);在金属层(4)中还设有上电容极板电引出(13),上电容极板电引出(13)的底面与氧化层(3)的顶面连接。
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