[发明专利]一种高线性补偿的电流平整电路

摘要

一种高线性补偿的电流平整电路，它涉及电路电子领域，它解决了目前电流注入补偿单元线性度的不足，达到高线性补偿的目的。它包括电流检测模块和电流注入补偿模块；电流检测模块，用于检测流经密码核心电路的电流Icore产生的变化电流ΔIcore，并转换变化电流ΔIcore为相应的变化电压ΔV，还用于将变化电压ΔV发送给电流注入补偿模块；电流注入补偿模块，用于将变化电压ΔV线性转换为补偿电流ΔIR，并通过补偿电流ΔIR对变化电流ΔIcore进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流ΔItot被削平；电流注入补偿模块由放大器A、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五NMOS管M5至第十NMOS管M10组成。本发明达到隐藏芯片核心电流变化的目的，能够在加密中广泛应用。

主权项

一种高线性补偿的电流平整电路，其特征在于它包括电流检测模块(1)和电流注入补偿模块(2)；电流检测模块(1)，用于检测流经密码核心电路的电流Icore产生的变化电流ΔIcore，并转换变化电流ΔIcore为相应的变化电压ΔV，还用于将变化电压ΔV发送给电流注入补偿模块(2)；电流注入补偿模块(2)，用于将变化电压ΔV线性转换为补偿电流ΔIR，并通过补偿电流ΔIR对变化电流ΔIcore进行补偿，使总的电源端检测到的变化电流ΔItot被削平；电流检测模块(1)分别设置有变化电流ΔIcore采集端和变化电压ΔV输出端；电流注入补偿模块(2)分别设置有变化电压ΔV输入端和补偿电流ΔIR输出端；电流检测模块(1)的变化电压ΔV输出端与电流注入补偿模块(2)的变化电压ΔV输入端连接；电流注入补偿模块(2)由放大器A、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五NMOS管M5至第十NMOS管M10组成，第三PMOS管M3的栅极与漏极短接并同时与第四PMOS管M4的栅极、第五NMOS管M5的漏极、第十NMOS管M10的漏极连接，第五NMOS管M5的源极和第六NMOS管M6的漏极同时与放大器A的同相输入端连接，第十NMOS管M10的栅极和第九NMOS管M9的栅极同时与放大器A的输出端连接，第九NMOS管M9的源极和第八NMOS管M8的漏极同时与放大器A的反相输入端连接，第八NMOS管M8的源极与第七NMOS管M7的漏极连接，第三PMOS管M3的源极、第四PMOS管M4的源极和第九NMOS管M9的漏极接电源端VDD，第六NMOS管M6的源极、第七NMOS管M7的源极和第十NMOS管M10的源极接地，第六NMOS管M6的栅极接第三偏置电压Vc，第七NMOS管M7的栅极接第四偏置电压Vd和第八NMOS管M8的栅极接第五偏置电压Ve；第四PMOS管M4的漏极为电流注入补偿模块(2)的补偿电流ΔIR输出端；第四PMOS管M4的漏极与密码核心电路的地端连接，第五NMOS管M5的栅极为电流注入补偿模块(2)的变化电压ΔV输入端。