[发明专利]射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210509266.X | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103855210A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底、在所述P型衬底上外延生长形成的P型外延层及位于P型外延层中离子注入形成的P阱，所述P阱用于形成沟道，所述在P型外延层中离子注入形成的P埋层。所述P埋层位于所述P阱的下方，所述P埋层与所述P阱相接触。本发明所述的射频横向双扩散场效应晶体管可以有效的降低寄生双极晶体管的基区电阻，从而抑制其寄生双极晶体管导通。并且P埋层与P阱一起对轻掺杂的漂移区进行耗尽，使漂移区表面电场分部均匀，降低多晶硅栅靠近漏端边缘下方电场强度，从而抑制热载流子注入到栅靠近漏端边缘氧化层中。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 横向 扩散 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频横向双扩散场效应晶体管，包括P型衬底、在所述P型衬底上外延生长形成的P型外延层及位于P型外延层中的P阱，所述P阱用于形成沟道，其特征在于，所述在P型外延层中包括一P埋层，所述P埋层位于所述P阱的下方，所述P埋层与所述P阱相接触。
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