[发明专利]IGBT及其制作方法无效
| 申请号： | 201210509411.4 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103855201A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 喻巧群;朱阳军;卢烁今;胡爱斌;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漂移区；位于所述漂移区背面且与所述漂移区背面直接电性接触的复合层，所述复合层仅覆盖所述漂移区背表面的部分区域。本发明所提供的IGBT及其制作方法，在漂移区背面的部分区域形成复合层，当器件导通时由于复合层仅位于漂移区背面的部分区域，不会影响集电区载流子注入漂移区，所以保证了器件的导通损耗不增大；当器件关断时形成材料缺陷密度高的复合层会迅速的复合掉靠近其自身的漂移区区域内的载流子，使电流以更快的速度消失，降低了器件的关断损耗；因此本发明所提供的IGBT及其制作方法能够在保证导通损耗不增大的条件下，降低器件的关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括漂移区；位于所述漂移区背面且与所述漂移区背面直接电性接触的复合层，所述复合层仅覆盖所述漂移区背表面的部分区域。
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