[发明专利]一种硬盘磁头晶片的生产方法无效

专利信息
申请号: 201210509547.5 申请日: 2012-12-04
公开(公告)号: CN102982812A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 王冀康;王永康;范锡印 申请(专利权)人: 新乡医学院
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;C25D5/02
代理公司: 新乡市平原专利有限责任公司 41107 代理人: 于兆惠
地址: 453002*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种硬盘磁头晶片的生产方法。本发明的技术方案要点是:一种硬盘磁头晶片的生产方法,包括以下步骤:(1)在晶片上溅射黏附层,再溅射一层种子层,然后涂布光刻胶,曝光并显影所需图形,烘干;(2)依次进行三层合金层的电镀,其中前两层为难氧化或难腐蚀的合金层,去离子水清洗,褪除光刻胶,氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层;(3)涂布光刻胶保护所要的金属区,用酸溶液腐蚀不需要的金属,再溅射Al2O3晶体,研磨以暴露出合金层即形成硬盘磁头晶片。本发明采用多层合金分步电镀生产硬盘磁头晶片的方法具有工序步骤简单、工序时间短、控制参数少等优点,因此能为企业带来巨大的经济效益。
搜索关键词: 一种 硬盘 磁头 晶片 生产 方法
【主权项】:
一种硬盘磁头晶片的生产方法,其特征在于包括以下步骤:(1)、在晶片上溅射黏附层,再溅射一层种子层,然后涂布光刻胶,曝光并显影所需图形,烘干;(2)、依次进行三层合金层的电镀,其中前两层合金层为难氧化或难腐蚀的合金层,去离子水清洗,褪除光刻胶,氩离子束刻蚀去除所要图形外的种子层;(3)、涂布光刻胶保护所要的金属区,用酸溶液腐蚀掉不需要的金属,再溅射Al2O3晶体,研磨以暴露出合金层即形成硬盘磁头晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新乡医学院,未经新乡医学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210509547.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top