[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210511484.7 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103247691A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王裕霖;叶佳俊;蔡学宏;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端，且漏极夹持半导体层的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：栅极；半导体层，具有相对的第一端与第二端；绝缘层，配置于所述栅极与所述半导体层之间；源极，夹持所述半导体层的所述第一端；以及漏极，夹持所述半导体层的所述第二端。
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