[发明专利]非易失性存储器件及其操作方法和制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器件及其操作方法和制造方法，所述非易失性存储器件包括：多个沟道结构，形成在衬底之上，并且包括与多个沟道层交替层叠的多个层间电介质层；第一垂直栅和第二垂直栅，沿着与沟道结构相交叉的一个方向交替地设置在沟道结构之间并与多个沟道层相邻，存储器层插入在第一垂直栅和第二垂直栅与多个沟道层之间；以及第一字线和第二字线对，设置在沟道结构之上或之下，并以与第一垂直栅和第二垂直栅重叠的方式沿着一个方向延伸。第一字线与第一垂直栅连接，第二字线与第二垂直栅连接。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：多个沟道结构，所述多个沟道结构形成在衬底之上，并且包括与多个沟道层交替层叠的多个层间电介质层；第一垂直栅和第二垂直栅，所述第一垂直栅和所述第二垂直栅沿着与所述沟道结构相交叉的一个方向交替地设置在所述沟道结构之间并且与所述多个沟道层相邻，存储器层插入在所述第一垂直栅和所述第二垂直栅与所述多个沟道层之间；以及第一字线和第二字线对，所述第一字线和第二字线对设置在所述沟道结构之上或之下，并且以与所述第一垂直栅和所述第二垂直栅重叠的方式沿着所述一个方向延伸，其中，所述第一字线与所述第一垂直栅连接，所述第二字线与所述第二垂直栅连接。