[发明专利]一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210513084.X | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103022894A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 芦鹏;郭仁红;刘学东;赵英杰;许鹏;李再金;王勇;李特;乔忠良;刘国军;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。本发明通过制备立方氮化硼(c-BN)薄膜层作为激光器腔面的钝化膜，有效的减小了激光器腔面灾变光学损伤，提高了激光器件可靠性与稳定性。本发明通过对半导体激光器bar条的前后腔面的离子预清洗后，采用磁控溅射方法，在bar条的前后腔面沉积立方氮化硼(c-BN)层，然后再在前后腔面分别镀增透膜以及高反膜。该发明方案可应用于各类半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 钝化 膜结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法。
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