[发明专利]用于BSI图像传感器的背面结构

摘要

用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。

主权项

一种用于形成图像传感器的方法，包括：在半导体表面的上方形成抗反射涂层，所述半导体支撑光电二极管；在所述抗反射涂层的上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层的上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除所述缓冲氧化物层的一部分，所述蚀刻停止层在所述蚀刻期间保护所述抗反射涂层。