[发明专利]下转换荧光材料的制备方法无效
申请号: | 201210513687.X | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN102977880A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 李乐良;郑军;左玉华;成步文;王启明;郑智雄 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司 |
主分类号: | C09K11/59 | 分类号: | C09K11/59;C09K11/80;C09K11/61 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种下转换荧光材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一化学通式为的荧光粉或者制备该荧光粉的原材料;步骤2:在荧光粉中加入含有Yb3+的粉末;步骤3:混合搅拌均匀;步骤4:烧结,形成化学通式为下转换荧光材料,完成制备。本发明可以实现量子剪裁效果,其量子效率可以超过100%。 | ||
搜索关键词: | 转换 荧光 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种下转换荧光材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一化学通式为的荧光粉或者制备该荧光粉的原材料;步骤2:在荧光粉中加入含有Yb3+的粉末;步骤3:混合搅拌均匀;步骤4:烧结,形成化学通式为下转换荧光材料,完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司,未经中国科学院半导体研究所;南安市三晶阳光电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210513687.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种妇科检查用X光机支撑架
- 下一篇:一种梯式纸巾盒