[发明专利]制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201210513689.9 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102983234A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 程滟;汪炼成;刘志强;伊晓燕;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，包括：步选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底，及在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上制备金属层；在金属层上转移一衬底；将外延结构中的蓝宝石衬底从非故意掺杂氮化镓层分离；腐蚀，将非故意掺杂氮化镓层向下腐蚀，腐蚀深度到达金属层，形成分离金字塔型阵列；在金字塔型阵列的侧面涂覆绝缘材料；用等离子体处理涂覆绝缘材料，使金字塔型阵列上端的非故意掺杂氮化镓层暴露出来；在涂覆绝缘材料和非故意掺杂氮化镓层的上面沉积一层透明导电薄膜；在透明导电薄膜上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 柔性 金字塔 阵列 gan 半导体 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底，及在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；步骤2：在p型GaN层上制备金属层；步骤3：在金属层上转移一衬底；步骤4：将外延结构中的蓝宝石衬底从非故意掺杂氮化镓层分离；步骤5：腐蚀，将非故意掺杂氮化镓层向下腐蚀，腐蚀深度到达金属层，形成分离金字塔型阵列；步骤6：在金字塔型阵列的侧面涂覆绝缘材料；步骤7：用等离子体处理涂覆绝缘材料，使金字塔型阵列上端的非故意掺杂氮化镓层暴露出来；步骤8：在涂覆绝缘材料和非故意掺杂氮化镓层的上面沉积一层透明导电薄膜；步骤9：在透明导电薄膜上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。
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