[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210513750.X | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855074A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;周俊卿;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有虚拟栅极结构的半导体衬底，所述虚拟栅极结构的两侧形成有侧壁结构，其两侧的源/漏区上形成有自对准金属硅化物；回蚀刻所述侧壁结构；对所述侧壁结构进行表面处理，以在所述侧壁结构的表面形成保护层；依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，以覆盖所述虚拟栅极结构；执行研磨过程以露出所述虚拟栅极结构的顶部；去除所述虚拟栅极结构中的牺牲栅电极层，形成金属栅极结构；再次形成另一层间介电层，以覆盖所述金属栅极结构；形成接触孔。根据本发明，在形成共享接触孔时，对接触孔蚀刻停止层的蚀刻不会破坏所述侧壁结构，因而其下方的衬底不会被蚀刻，从而避免由此引发的漏电现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构的两侧形成有侧壁结构，所述虚拟栅极结构两侧的源/漏区上形成有自对准金属硅化物；回蚀刻所述侧壁结构；对经过所述回蚀刻的侧壁结构进行表面处理，以在所述侧壁结构的表面形成保护层；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，以覆盖所述虚拟栅极结构；执行研磨过程以露出所述虚拟栅极结构的顶部；去除所述虚拟栅极结构中的牺牲栅电极层，形成金属栅极结构；再次形成另一层间介电层，以覆盖所述金属栅极结构，并研磨所述另一层间介电层以使其表面平整；形成接触孔，其中，所述接触孔包含共享接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
