[发明专利]刻蚀条件的采集方法有效
申请号: | 201210513915.3 | 申请日: | 2012-12-04 |
公开(公告)号: | CN103855075A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 张海洋;符雅丽;王新鹏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种刻蚀条件的采集方法,包括:将晶圆分成至少两类刻蚀区域,并在晶圆上形成具有目标厚度的介质层,在第一类刻蚀区域的介质层中形成通孔后,在通孔内以及剩余的介质层上形成补偿层,使补偿层和剩余的介质层的厚度之和与第一通孔形成之前介质层的目标厚度相同,进而在不影响形成通孔形貌的前提下,使同一晶圆能进行多次刻蚀,提高了晶圆利用率,节约了晶圆,降低了刻蚀条件的采集的成本。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 条件 采集 方法 | ||
【主权项】:
一种刻蚀条件的采集方法,其特征在于,包括:提供晶圆;将晶圆分成至少两类刻蚀区域,并在所述晶圆表面由下至上依次形成介质层和第一掩膜层,所述介质层具有目标厚度;在第一类刻蚀区域的第一掩膜层中形成第一通孔图形;采用第一刻蚀条件沿第一通孔图形刻蚀第一类刻蚀区域的介质层,形成贯穿介质层厚度的第一通孔,在刻蚀形成第一通孔的同时去除了第一类刻蚀区域以及其他类刻蚀区域的第一掩膜层和部分厚度的介质层;在第一通孔内以及剩余厚度的介质层上形成第一补偿层,使剩余厚度的介质层与第一补偿层的厚度之和与介质层的目标厚度相等;在所述第一补偿层上形成第二掩膜层;在第二类刻蚀区域的第二掩膜层中形成第二通孔图形;采用第二刻蚀条件沿第二通孔图形刻蚀第二类刻蚀区域的第一补偿层和介质层,形成至少贯穿介质层厚度的第二通孔,在刻蚀形成第二通孔的同时去除了第二类刻蚀区域以及其他类刻蚀区域的第二掩膜层、部分厚度或全部厚度的第一补偿层;当将晶圆分成两类以上刻蚀区域时,按上述形成第二通孔的方法,在不同刻蚀条件下,于其他类刻蚀区域的补偿层和介质层中形成相应的通孔。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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