[发明专利]阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法有效
| 申请号： | 201210514213.7 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103060914A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;彭波南;程玲;庄宇峰;许恒恒;郭林山;王伟 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将前驱块体和薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，生长炉的温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；以阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体。本发明的一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，保证了籽晶诱导生长的同时，不会产生自发形核和第二相的富集，而且，逐步提高的降温速率，保证了生长所需的越来越大的驱动力。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 加速 快速 生长 rebco 高温 超导 块体 方法 | ||
【主权项】：
一种阶梯型加速缓冷快速生长REBCO高温超导块体的方法，其特征在于，以c轴取向的NdBCO/YBCO/MgO薄膜为籽晶，将所述薄膜籽晶的ab面接触前驱块体的上表面，将所述前驱块体和所述薄膜籽晶置于生长炉中进行熔融结构生长，所述生长炉的具体温度程序为：从室温开始经过5h升温至960℃，保温3h；继续加热，升温至最高温度Tmax，保温1～2h；在15min内，降温至起始生长温度Ts；在生长温度区间内，采用阶梯型加速缓冷的生长程序，生长REBCO高温超导块体；所述阶梯型加速缓冷的生长程序采用阶梯型的逐渐增加的降温速率，包括一个以上生长阶段，不同生长阶段的降温速率不同，每个所述生长阶段的降温速率比其前一个生长阶段的降温速率高25％～100％，每个所述生长阶段的降温速率相同，每个所述生长阶段的生长时间为5～15h。
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