[发明专利]射频离化硒源装置在审
申请号: | 201210514570.3 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN102943242A | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 赵岳;申绪男;张颖武;杨亦桐;乔在祥;赵彦民 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种射频离化硒源装置,包括Se源蒸发区和气体输出区,其特点是:Se源蒸发区和气体输出区之间连接有气体离化器;气体离化器包括离化器壳体,离化器壳体内壁置有绝缘层,绝缘层内有两个电极,两个电极之间的空隙形成离化腔室;离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通;露在表面的输气管路均包有热保护装置。本发明采用了气体离化器,将Ar气生成等离子带电体,并稳定存在于环形极板及电极柱之间,形成辉光放电区;Se蒸汽进入到辉光放电区间后,由低活性Sen(n≥5)大原子团裂解成较高活性Sen(n<5)小原子团,对优化CIGS吸收层制备工艺、提高CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率起到了显著的作用。 | ||
搜索关键词: | 射频 离化硒源 装置 | ||
【主权项】:
射频离化硒源装置,包括带有Se源料桶的Se源蒸发区和带有喷嘴的气体输出区,其特征在于:所述Se源蒸发区和气体输出区之间连接有气体离化器;所述气体离化器包括带有法兰的离化器壳体,离化器壳体内壁置有绝缘层,绝缘层内有两个电极,两个电极之间的空隙形成离化腔室;离化腔室与Se蒸汽输入管和Ar气输入管相通,两个电极引出与适配器两端连接的电极接线柱;露在表面的输气管路均包有热保护装置。
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