[发明专利]NMOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明的技术方案提供了NMOS晶体管及其制作方法，其中，所述NMOS晶体管的制作方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，在栅极结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极；形成拉应力层，所述拉应力层覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底；去除覆盖在所述栅极结构上方的拉应力层；在栅极结构上方处形成压应力层。本发明通过去除栅极上方的具有拉应力的应力层，再形成的具有压应力的应力层，使其可以直接对栅极产生向下的压力，从而使得栅极对衬底会产生向下的压力，从而转化为沿沟道长度方向的张应力，使得沟道中电子的迁移率进一步增大，从而使得NMOS晶体管具有更高的运转速度。

主权项

一种NMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极，所述虚拟栅极包括高k介质层和伪栅材料层；在所述虚拟栅极两侧的半导体衬底内形成源极和漏极；形成拉应力层，所述拉应力层覆盖所述虚拟栅极和所述半导体衬底；去除覆盖在所述虚拟栅极上方的拉应力层；去除所述伪栅材料层，并在原伪栅材料层处填充栅极材料，使得所述栅极材料和高k介质层形成高k金属栅；在所述高k金属栅上方处形成压应力层；在所述高k金属栅上方形成压应力层的方式为：在形成高k金属栅之后，在剩余的拉应力层和高k金属栅上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，在高k金属栅上方形成开口，所述开口正好完全暴露所述高k金属栅；在所述开口中填充所述压应力层。