[发明专利]掩膜剂及带有纳米级图形的衬底的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210516448.X 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN103059610A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 夏玺华;赵胜能;牛凤娟;张庆;李随萌 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: C09D1/00 分类号: C09D1/00;C09D125/06;C09D7/12;H01L21/02;B82Y40/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种掩膜剂及带有纳米级图形的衬底的制备方法。该掩膜剂按体积份包括以下原料:10~30份的具有掩膜功能的纳米级颗粒、20~60份的溶剂,以及0.06~0.2份的活化剂。掩膜剂中包括具有掩膜功能的纳米级颗粒,当这种掩膜剂被涂布形成掩膜层时,掩膜剂中的具有掩膜功能的纳米级颗粒分布在该掩膜层,对该掩膜层进行刻蚀,将纳米颗粒结构转移到基体上,即可得到纳米级图形。本发明所提供的带有纳米级图形的衬底的制备方法中通过使用上述掩膜剂在衬底上形成掩膜层,刻蚀后即可得到带有纳米级图形的衬底。
搜索关键词: 掩膜剂 带有 纳米 图形 衬底 制备 方法
【主权项】:
一种掩膜剂,其特征在于,所述掩膜剂按体积份包括以下原料:10~30份的具有掩膜功能的纳米级颗粒、20~60份的溶剂,以及0.06~0.2份的活化剂。
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