[发明专利]一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法

摘要

一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法，本发明的核心内容是采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，自制熔盐提拉炉为生长装置，采用特殊设计的嵌套坩锅，是坩埚内熔体产生不同的温度分布，提高边缘熔体温度从而抑制BBO晶体径向的生长速度，实现BBO晶体等径提拉生长，采用本发明进行BBO晶体的熔盐提拉生长，解决了以往生长方法中存在的晶体径向过快生长容易碰到坩锅壁扭断的问题，该方法具有结构简单，方便实用的特点。

主权项

一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，自制熔盐提拉炉为生长装置，其特征在于：所述熔盐提拉炉采用嵌套坩埚设计，在坩埚主体外套有坩埚罩壁，坩埚主体与坩埚罩壁通过连接壁连接，坩埚主体与坩埚罩壁之间留有空隙，坩埚罩壁上边缘高于坩埚主体上边缘，坩埚主体，坩埚罩壁与连接壁为一体铸成。