[发明专利]一种硅基液晶微显示器像素点电路无效

专利信息
申请号: 201210517313.5 申请日: 2012-12-05
公开(公告)号: CN102945659A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 李晨;夏军;张晓龙;雷威;张晓兵 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211189 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硅基液晶微显示器像素点电路,显示器采用帧刷新模式,每一行像素点与数字模拟转换器DAC总线之间有一个行选总开关。像素点电路由5个传输门和两个存储电容组成,即第一传输门(TG1)、第二传输门(TG2)、第三传输门(TG3)、第四传输门(TG4)、第五传输门(TG5)、第一存储电容CA,第二存储电容CB;每一个传输门均由一对场效应管构成。第一存储电容CA接在第一传输门(TG1)、第二传输门(TG2)之间,第二存储电容CB接在第三传输门(TG3)、第四传输门(TG4)之间,第一存储电容CA,第二存储电容CB另一端接地;第五传输门的输出端分别与第一传输门(TG1),第三传输门相连;第二、第四传输门的输出端接液晶负载。
搜索关键词: 一种 液晶 显示器 像素 电路
【主权项】:
一种硅基液晶微显示器像素点电路,其特征在于像素点电路由5个传输门和两个存储电容组成,即第一传输门(TG1)、第二传输门(TG2)、第三传输门(TG3)、第四传输门(TG4)、第五传输门(TG5)、第一存储电容CA,第二存储电容CB;每一个传输门均由一对场效应管构成,第一PMOS场效应管(1)和第二NMOS场效应管(2)构成第一传输门(TG1),第三PMOS场效应管(3)和第四NMOS场效应管(4)构成第二传输门(TG2),第五PMOS场效应管(5)和第六NMOS场效应管(6)构成第三传输门(TG3),第七PMOS场效应管(7)和第八NMOS场效应管(8)构成第四传输门(TG4),第九PMOS场效应管(9)和第十NMOS场效应管(10)构成第五传输门(TG5);第一存储电容CA接在第一传输门(TG1)和第二传输门(TG2)之间,第二存储电容CB接在第三传输门(TG3)和第四传输门(TG4)之间,第一存储电容CA和第二存储电容CB另一端接地;第五传输门(TG5)的输入端为该像素点电路的输入端,接数字模拟转换器DAC,第五传输门(TG5)的输出端分别与第一传输门(TG1)和第三传输门(TG3)的输入端相连;第一传输门(TG1)的输出端接第二传输门(TG2)的输入端,第三传输门(TG3)的输出端接第四传输门(TG4)的输入端,第二传输门(TG2)和第四传输门(TG4)的输出端相连作为该像素点电路的输出端接液晶负载。
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