[发明专利]穿隧磁阻参考单元及其磁场感测电路有效
| 申请号： | 201210517405.3 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103197265A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王泳弘;黄胜煌;沈桂弘;郭耿铭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 穿隧磁阻参考单元及其磁场感测电路。该穿隧磁阻参考单元用以感测磁场，包括第一MTJ(magnetic tunneling junction，磁性穿隧接面)装置与第二MTJ装置并联。该第一MTJ装置有第一固定层，其中该第一固定层在固定方向有第一固定磁矩，及在零磁场时，第一自由层有第一自由磁矩与该固定磁矩平行。该第二MTJ装置有第二固定层，其中该第二固定层在该固定方向有第二固定磁矩，及在一零磁场时，第二自由层有第二自由磁矩与该固定方向反平行。该第一及第二MTJ装置的长轴与感测到的外部磁场方向的夹角为45度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 参考 单元 及其 磁场 电路 | ||
【主权项】：
一种用于磁场感测的穿隧磁阻参考单元，包括：第一磁性穿隧接面MTJ装置，包括：第一固定层，具有在固定方向的第一固定磁矩；以及第一自由层，具有在零磁场时与该固定方向平行的第一自由磁矩；以及第二磁性穿隧接面MTJ装置，包括：第二固定层，具有在该固定方向的第二固定磁矩；以及第二自由层，具有在零磁场时与该固定方向反平行的第二自由磁矩；其中该第一及第二MTJ装置为并联。
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