[发明专利]形成嵌入式存储器件的方法

摘要

本发明描述了一种形成存储器件的方法。该方法包括接收晶圆衬底，在该晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，执行离子注入工艺，以在晶圆衬底中形成源极和漏极，在限定出的多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极和控制栅极，以及在控制多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。形成存储器栅极进一步包括实现存储器栅极凹部，以将存储器栅极埋置在氧化物层中。本发明还提供了一种形成嵌入式存储器件的方法。

主权项

一种形成存储器件的方法，所述方法包括：接收晶圆衬底；在所述晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，其中，所述多晶硅堆叠图案包括沉积在所述晶圆衬底上方的界面层、沉积在所述界面层上方的高k介电层、沉积在所述高k介电层上方的金属氮化物层、沉积在所述金属氮化物层上方的多晶硅层和沉积在所述多晶硅层上方的硬掩模层；执行离子注入工艺，以在所述晶圆衬底中形成源极和漏极；在所述源极上方的所述多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极，其中，形成所述存储器栅极包括：通过去除存储器栅极区域中的所述多晶硅层、所述金属氮化物层和所述高k介电层来在所述多晶硅堆叠图案中形成所述存储器栅极区域，在所述界面层上方沉积氮化物层、在所述氮化物层上方沉积氧化物层以及在所述氧化物层上方沉积存储器栅极层；以及在所述漏极上方的所述多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。