[发明专利]大面积薄型单晶硅的制作技术无效
| 申请号： | 201210518396.X | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103145090A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 林清富;林子敬;许书嘉 | 申请（专利权）人： | 林清富 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种大面积薄型单晶硅的制作技术，特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术在硅基板或硅晶圆上制作微米结构或纳米结构并脱离硅基板或晶圆的方法。此方法借由金属催化剂沉积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或纳米结构剥离或转移等简单的工艺，形成薄型单晶硅，并将基板表面处理后，使基板进行回收用于重复制作薄型单晶硅，而对基板做充分的利用，达到降低其制作成本的目的与增加应用的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 单晶硅 制作 技术 | ||
【主权项】：
一种薄型单晶硅制作技术，其特征在于包含:(1)提供单一种材料基板;(2)制作设计过的图案化金属阻挡层在该基板上，而定义出该基板上的蚀刻区域;(3)沉积或附着金属催化剂在该基板上;(4)将该基板浸入第一蚀刻溶液中进行纵向蚀刻而形成微米结构或纳米结构;(5)将该基板浸入第二蚀刻溶液中进行侧向蚀刻而侵蚀该微米结构或纳米结构的底部，使得该微米结构或纳米结构的底部与该基板分离;(6)将该微米结构或纳米结构由该基板上转移;以及(7)处理该基板表面使其再制作微米结构或纳米结构在其上。
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