[发明专利]一种二极管芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种二极管芯片的制备方法，尤其属于快恢复二极管芯片的制备方法。包括N+层和P+层，采用如下步骤进行A）、在N+型衬底硅片正面生长至少一层用于电流漂移的N型层；B)、在N型层表面生长一层二氧化硅；C）、在二氧化硅上涂覆光刻胶；D）、在光刻胶上光刻出分压环窗口和主结窗口，腐蚀沟槽；E）、D）步骤后采用离子注入法，生成P+层和P-层，形成以P+层为主结，至少一个分压环P-层为副结的闭合环；F）对腐蚀后沟槽涂覆玻璃钝化层；G）、在N+层和P+层表面均溅射镀镍合金层。采用本发明的技术方案，具有正、反向恢复时间短，抗反向击穿电压高的优点。

主权项

一种二极管芯片的制备方法, 包括N+层（1）和P+层（2），其特征在于,采用如下步骤进行:A）、在 N+（1）型衬底硅片正面生长至少一层用于电流漂移的N型层（3）；   B)、在N型层表面生长一层二氧化硅（2）；C）、在二氧化硅（2）层上涂覆光刻胶；D）、在光刻胶上光刻出分压环窗口和主结窗口，腐蚀沟槽；E）、上述D）步骤后，采用离子注入法，生成P+层（2）和P‑层（4），形成以P+层为主结，至少一个分压环P‑层（4）为副结的闭合环；F）对腐蚀后沟槽涂覆玻璃钝化层（5）；   G）、在N+层（1）和P+层（2）表面均溅射镀镍合金层（6）。