[发明专利]一种有序多孔含能晶体材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210519633.4 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103044173A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 沈金朋;杨光成;谯志强;李瑞 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心 |
| 主分类号： | C06B21/00 | 分类号： | C06B21/00;C06B23/00;C06B25/34;C06B25/32 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘兴亮 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，包括以下步骤：将一定量的含能材料在室温下溶解于良性溶剂中；向上一步的溶液中加入一定量的晶体形貌控制剂，搅拌溶解；将上一步的溶液在磁力搅拌的条件下缓慢的加入到含能材料和晶体形貌控制剂的不良溶剂中；将上一步的溶液继续搅拌一定时间之后，过滤，得到含能材料与晶体形貌控制剂的复合物；将所得的复合物中加入到溶剂中，所述的溶剂为含能材料的不良溶剂，晶体形貌控制剂的良性溶剂；多次洗涤，除去晶体形貌控制剂；干燥，得到纯的有序多孔含能晶体材料。本发明的制备方法工艺流程简单，反应条件温和，反应条件易于控制，适用于多种含能材料，制备的有序多孔含能晶体材料的纯度大于99.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有序 多孔 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A．将一定量的含能材料在室温下溶解于含能材料的良性溶剂中；B．向步骤A的溶液中加入一定量的晶体形貌控制剂，搅拌溶解；C．将步骤B的溶液在磁力搅拌的条件下缓慢的加入到含能材料和晶体形貌控制剂的不良溶剂；D．将步骤C的溶液继续搅拌一定时间之后，过滤，得到含能材料与晶体形貌控制剂的复合物；E．将步骤D中所得的复合物中加入到溶剂中，所述的溶剂为含能材料的不良溶剂，晶体形貌控制剂的良性溶剂；多次洗涤，除去晶体形貌控制剂；F．将步骤E所得过滤，干燥，得到纯的有序多孔含能晶体材料。
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