[发明专利]III族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 201210519652.7 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103165772A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 中村亮 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下呈现提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括蓝宝石衬底；以及，依次沉积在蓝宝石衬底上的均由III族氮化物半导体形成的n接触层、n覆层、发光层、p覆层和p接触层。n覆层包括依次在n接触层上的高杂质浓度层和低杂质浓度层这两个层，并且低杂质浓度层与发光层接触。低杂质浓度层是n型杂质浓度低于高杂质浓度层的层，低杂质浓度层的n型杂质浓度为p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100，并且具有 |
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| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有发光层和在所述发光层上的p覆层的III族氮化物半导体发光器件，所述器件包括：高杂质浓度层，其形成在所述发光层的与所述p覆层侧相反的一侧并且掺杂有n型杂质；低杂质浓度层，其在所述高杂质浓度层和所述发光层之间形成为与所述发光层相接触，所述低杂质浓度层的n型杂质浓度比所述高杂质浓度层的n型杂质浓度低；以及其中，所述低杂质浓度层的n型杂质浓度为所述p覆层的p型杂质浓度的1/1000至1/100，并且所述低杂质浓度层的厚度为![]()
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