[发明专利]物理气相沉积设备

摘要

本发明公开了一种物理气相沉积设备，涉及半导体工艺技术领域，使靶基间距的调节更加方便。该设备包括：上电极，用于放置基片的腔室，位于上电极和腔室之间的工艺组件以及固定连接于上电极的开盖架，用于支撑开盖架的支撑结构，支撑结构包括：升降支架和轴承座安装板，其中：轴承座安装板，固定连接于升降支架上端，开盖架通过转轴固定连接于轴承座安装板；升降支架，用于支撑轴承座安装板上升或下降，升降支架的下端与腔室的底面所在平面固定连接；通过调节升降支架自身的高度，使固定连接于升降支架上端的轴承座安装板连同开盖架、转轴和上电极同时上升或下降，以便调节上电极和腔室之间的距离。

主权项

一种物理气相沉积设备，包括：上电极，用于放置基片的腔室，位于上电极和所述腔室之间的工艺组件以及固定连接于所述上电极的开盖架，其中，所述工艺组件与上电极和腔室形成封闭空间进行溅射工艺，其特征在于，所述物理气相沉积设备，还包括：用于支撑所述开盖架的支撑结构，所述支撑结构包括：升降支架和轴承座安装板，其中：所述轴承座安装板，固定连接于所述升降支架上端，所述开盖架通过转轴固定连接于所述轴承座安装板；所述升降支架，用于支撑所述轴承座安装板上升或下降，所述升降支架的下端与腔室的底面所在平面固定连接；其中，通过调节所述升降支架自身的高度，使固定连接于所述升降支架上端的轴承座安装板连同开盖架、转轴和上电极同时上升或下降，以便调节所述上电极和所述腔室之间的距离。