[发明专利]层叠片、及使用层叠片的半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210520357.3 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103165544A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 千岁裕之;田中俊平;水野浩二 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够防止发生树脂组合物层的胶粘力的降低、电气可靠性的降低并且在切割后能够从多个半导体元件同时剥离背磨带的层叠片。该层叠片具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在背磨带的粘合剂层上，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 使用 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种层叠片，其特征在于，具有背磨带和树脂组合物层，所述背磨带具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述树脂组合物层被设置在所述背磨带的所述粘合剂层上，其中，所述粘合剂层的拉伸弹性模量在23℃下为0.1～5.0MPa，所述粘合剂层与所述树脂组合物层之间的T剥离强度在23℃、300mm/分钟的条件下为0.1～5N/20mm。
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