[发明专利]一种碳-金属嵌渗式导电膜及用途无效
申请号: | 201210522707.X | 申请日: | 2012-12-08 |
公开(公告)号: | CN103050168A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 朱彥文;吴天和;穆俊江;何爱忠;谢赟;区柱石 | 申请(专利权)人: | 梧州三和新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;H01B1/04;C25D5/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 543008 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 一种碳-金属嵌渗式导电膜,至少具有两层结构,第一层为与基体接触的碳导电层,第二层为在碳导电层上形成的金属粒子嵌渗层,该导电膜包含或不包含在金属粒子嵌渗层上形成的金属导电层;该导电膜用于以非金属材料的电沉积、电镀或电铸为目的的导电化处理用途。该导电膜集碳导电膜的高可靠性和金属导电膜的高导电性能于一体,突破了碳导电膜和金属导电膜的固有缺陷,具有良好的施镀效果,为非金属材料的电沉积、电镀或电铸作业提供了性能优异的导电过渡层,尤其是对镀覆层的材料力学性能和电磁学性能提供了良好的保证。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 嵌渗式 导电 用途 | ||
【主权项】:
一种碳‑金属嵌渗式导电膜,其特征是:该导电膜至少具有两层结构,第一层为与基体接触的碳导电层,第二层为在碳导电层上形成的金属粒子嵌渗层,该导电膜包含或不包含在金属粒子嵌渗层上形成的金属导电层。
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