[发明专利]电容阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201210523871.2 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103178061A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 黄仁瑞;李哲奇;蔡士竖;陈政顺;许绍达;赖朝文;谢君毅;林靖凯 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容阵列及其制造方法，该电容阵列包含多个电容和支撑框架。每个电容包含一个电极。此支撑框架支持多个电极并且包含多个对应于多个电极的支撑结构。每个支撑结构会环绕各自的电极。该支撑框架会包含已掺杂可氧化材料的氧化物。该支撑框架可避免电极倾斜和中间部分摆动等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容阵列包含：多个电容，各电容包含一个电极；以及一个支撑框架，用于支撑该多个电极，该支撑框架包含对应该多个电极的多个支撑结构，各支撑结构围绕着对应的电极，又该支撑框架包含掺杂且可氧化材料的氧化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
