[发明专利]一种超细稀土硅酸镁锶发光粉体及其制备技术无效
| 申请号： | 201210524072.7 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102965103A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 罗军;高大海;张开砚 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超细稀土硅酸镁锶长余辉发光粉体及其制备技术。其特征是该发光粉体以Sr2MgSi2O7为基质，Eu2+、Dy3+稀土离子为激活剂，晶体结构为四方晶系的镁黄长石结构，粉体粒径小于5μm，经紫外或可见光照射1～10分钟，可发出波长为470nm附近的蓝色可见光，余辉寿命达5小时以上。该发光粉体无毒无害、无放射污染，对人体和环境无任何不良影响。该超细发光粉体的主要制备过程为，通过溶胶-凝胶技术制备出稀土硅酸镁锶前驱体和干凝胶，然后通过高温焙烧获得稀土硅酸镁锶发光材料，粉碎研磨后得到粒径小于5μm的超细发光粉体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 硅酸 发光 及其 制备 技术 | ||
【主权项】：
一种超细稀土硅酸镁锶发光粉体，其特征在于：该发光粉体以Sr2MgSi2O7为基质，Eu2+、Dy3+稀土离子为激活剂，晶体结构为四方晶系的镁黄长石结构，粉体粒径小于5μm，经紫外或可见光照射1～10分钟，可发出波长为470nm附近的蓝色可见光，余辉寿命达5小时以上。该发光粉体无毒无害、无放射污染，对人体和环境无任何不良影响。
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