[发明专利]多晶硅锭及其制造方法无效
| 申请号： | 201210524393.7 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102943304A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 潘明翠;刘磊;高文宽;张任远;夏新中;苏春阳;徐春良 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭及其制造方法，包括：将硅料直接装载到多晶铸锭炉的坩埚内；对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料；对所述坩埚进行降温，使熔化的硅料从所述坩埚底部开始结晶；当多晶硅锭生长的高度为20mm~60mm时，包括端点值，控制所述多晶铸锭炉内部的热场，对已生长的多晶硅锭进行回熔，该回熔过程保持所述坩埚底部的部分多晶硅锭为固态；对所述坩埚进行降温，直至多晶硅锭生长完成。本发明实施例通过对生长初期的多晶硅锭进行回熔，减少了多晶硅锭的位错缺陷，增强了生长过程中的杂质分凝作用，提高了多晶硅锭产品的质量，采用上述方法制造的多晶硅锭的位错密度数量级在105以下。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭制造方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将硅料直接装载到多晶铸锭炉的坩埚内；B、对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料；C、对所述坩埚进行降温，使熔化的硅料从所述坩埚底部开始结晶；D、当多晶硅锭生长的高度为20mm~60mm时，包括端点值，控制所述多晶铸锭炉内部的热场，对已生长的多晶硅锭进行回熔，该回熔过程保持所述坩埚底部的部分多晶硅锭为固态；E、对所述坩埚进行降温，直至多晶硅锭生长完成。
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