[发明专利]一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法

摘要

本发明公开了一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法，属于MOSFET器件的技术领域。该方法包括在恒温装置里采集MOSFET器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得MOSFET器件的电流-温敏参数-温度三维曲线簇；选定基准电流，得到基准电流的序列；根据电流-温敏参数-温度三维曲线簇和基准电流的序列，得到电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇；通过多阶梯恒流重复脉冲测试MOSFET器件，得到零时刻温敏参数；根据零时刻温敏参数和电流-有效面积-温敏参数-温度曲线簇，得到不同有效面积所对应的结温。本发明通过测量器件有源区的相关参数，可以提供更准确可靠的信息，与实际的温度分布和峰值结温符合的较好。

主权项

一种测量MOSFET器件峰值结温分布的方法，其特征在于，包括如下步骤：在恒温装置内，采集MOSFET器件的多阶梯恒流脉冲所对应的温敏参数，获得所述MOSFET器件的电流‑温敏参数‑温度三维曲线簇；设定所述MOSFET器件的有效面积，根据MQH算法，选定基准电流，得到所述基准电流的序列；根据所述电流‑温敏参数‑温度三维曲线簇和所述基准电流的序列，得到电流‑有效面积‑温敏参数‑温度曲线簇；通过所述多阶梯恒流重复脉冲测试所述MOSFET器件，得到同一电流在不同时间的温敏参数，然后将所述同一电流在不同时间的温敏参数进行多项式拟合，得到零时刻温敏参数；根据所述零时刻温敏参数和所述电流‑有效面积‑温敏参数‑温度曲线簇，得到所述有效面积所对应的结温。