[发明专利]用于制造半导体发光元件的方法无效
| 申请号： | 201210525705.6 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103165778A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤泰辅;财满康太郎;田岛纯平;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。根据一个实施例，公开了一种用于制造半导体发光元件的方法。所述方法可以包括将结构体的堆叠主体接合到衬底主体。所述结构体包括生长衬底和设置在所述生长衬底上的所述堆叠主体。所述堆叠主体包括第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二氮化物半导体膜。所述方法可以包括去除所述生长衬底。所述方法可以包括形成多个堆叠体。所述方法可以包括在第一氮化物半导体层的表面中形成凹凸部。所述方法可以包括形成多个半导体发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 发光 元件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体发光元件的方法，包括：将堆叠主体接合到衬底主体，所述堆叠主体包括在结构体中，所述结构体还包括生长衬底，所述堆叠主体设置在所述生长衬底上，所述堆叠主体包括第一导电类型的第一氮化物半导体膜、设置在所述第一氮化物半导体膜上的发光膜和设置在所述发光膜上的第二导电类型的第二氮化物半导体膜，拉伸应力被施加到所述堆叠主体；去除所述生长衬底；通过去除所述堆叠主体的一部分将所述堆叠主体划分成多个区域而形成多个堆叠体，所述堆叠体包括由所述第一氮化物半导体膜形成的第一氮化物半导体层、由所述第二氮化物半导体膜形成的第二氮化物半导体层和由所述发光膜形成的发光层；对于每个所述堆叠体，在所述第一氮化物半导体层的与所述发光层相对的侧上的表面中形成凹凸部；以及对于每个所述堆叠体，通过划分所述衬底主体来形成多个所述半导体发光元件，每个所述半导体发光元件均包括所述堆叠体和由所划分的衬底主体形成的支撑衬底。
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