[发明专利]晶体管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210526017.1 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103871879A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种晶体管的形成方法以及晶体管结构，在源/漏极形成之后，对源/漏极进行蚀刻形成结深与形状可控的源/漏极延伸区凹槽，同时可以通过深度控制源/漏极延伸区的结深，在降低预定的晶体管串联电阻的同时来控制晶体管的短沟道效应，从而达到有效提高晶体管的驱动性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上设有虚拟栅电极结构和虚拟侧墙，所述虚拟栅电极结构包括虚拟栅介质层以及形成于所述虚拟栅介质层上的虚拟栅电极，所述虚拟侧墙形成于所述虚拟栅介质层和所述虚拟栅电极两侧；对所述虚拟侧墙两侧的所述半导体衬底进行刻蚀，形成源/漏极凹槽；在所述源/漏极凹槽内形成源/漏极；去除所述虚拟侧墙；对所述源/漏极以及半导体衬底进行刻蚀，形成源/漏极延伸区凹槽，所述源/漏极延伸区凹槽的深度小于源/漏极凹槽的深度；在所述源/漏极延伸区凹槽内形成源/漏极延伸区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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