[发明专利]阵列基板及其制备方法、薄膜晶体管及显示装置无效
| 申请号： | 201210526273.0 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103022147A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨静;戴天明 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括依次形成的源漏极、有源层、栅绝缘层以及栅极，所述有源层由微晶硅制备而成。微晶硅形成有源层时无需进行晶化工艺，制备工艺简单；同时，微晶硅形成的有源层的场效应迁移率比非晶硅TFT结构中的有源层更高，且顶栅型的薄膜晶体管结构能够减少孵化层对源漏极之间的电流路径的影响，因此，采用微晶硅形成有源层的薄膜晶体管驱动能力较高。本发明还提供了一种具有上述薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、以及一种包括上述薄膜晶体管阵列基板的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种顶栅型薄膜晶体管，包括依次形成的源漏极、有源层、栅绝缘层以及栅极，其特征在于，所述有源层由微晶硅制备而成。
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