[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210526416.8 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103871877A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 吴振兴;朱阳军;谈景飞;胡爱斌;喻巧群;陈宏;赵佳;陆江;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。本发明所述技术方案仅在IGBT的栅极结构以外的区域形成分布均匀的杂质缺陷，一方面，避免了由于栅极结构存在杂质缺陷导致IGBT的阈值降低，从而避免了IGBT易受外界信号干扰的问题；另一方面，避免了由于栅极结构存在杂质缺陷导致的IGBT的漏电流增大，从而避免了由于漏电流增大导致的器件易烧坏、寿命短的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成正面结构和背面结构，所述正面结构包括栅极结构；在栅极结构以外的区域形成均匀分布的杂质缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
