[发明专利]一种去除光刻胶的清洗液在审
| 申请号： | 201210528267.9 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103869635A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 孙广胜;刘兵;彭洪修;颜金荔 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有季铵氢氧化物，醇胺，C4-C6多元醇以及溶剂。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂能够高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种去除光刻胶的清洗液，其特征在于，包括季铵氢氧化物，醇胺，C4‑C6多元醇及溶剂。
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