[发明专利]氧化物薄膜晶体管制程方法

摘要

本发明提供一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，包含：依序于基板上形成栅极、半导体绝缘层以及金属氧化物层，接着于金属氧化物层上利用一灰阶光罩形成第一图案化光阻层，并以第一图案化光阻层作为罩幕形成一图案化金属氧化物层，并移除部分第一图案化光阻层来形成第二图案化光阻层，接着依序形成一金属层以及第三图案化光阻层，并以第三图案化光阻层为罩幕，对金属层进行蚀刻以形成源极区与漏极区，并暴露出第二图案化光阻层，以及移除第三图案化光阻层以及部分的第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层。

主权项

一种制作氧化物薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含：提供一基板；形成一栅极于该基板上；形成一半导体绝缘层于该栅极上；形成一金属氧化物层于该半导体绝缘层上；形成一第一图案化光阻层于该金属氧化物层上，其中是利用一灰阶光罩形成该第一图案化光阻层；利用该第一图案化光阻层为罩幕蚀刻该金属氧化物层来形成一图案化金属氧化物层；移除部分该第一图案化光阻层来形成一第二图案化光阻层；形成一金属层于该半导体绝缘层、该图案化金属氧化物层以及该第二图案化光阻层上；形成一第三图案化光阻层于该金属层上；以该第三图案化光阻层为罩幕，对该金属层进行蚀刻以形成一源极区与一漏极区，并暴露出该第二图案化光阻层；以及移除该第三图案化光阻层以及部分该第二图案化光阻层来形成一第四图案化光阻层。