[发明专利]晶圆中缺陷定位的方法在审
| 申请号： | 201210528649.1 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103871918A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞娟;段淑卿;王小懿;曹珊珊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆中缺陷定位的方法，通过在晶圆上形成在样品制作机台上可见的第一标记直接或间接对晶圆中的缺陷进行定位，以获得缺陷的具体位置和/或缺陷所在的位置范围，解决了当缺陷尺寸过小时，由于缺少有效参照物导致定位缺陷位置困难的问题，便于制作包含缺陷的样品。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆中 缺陷 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆中缺陷定位的方法，包括：步骤A：在所述晶圆上形成第一标记，并通过缺陷扫描机台扫描晶圆获得晶圆缺陷扫描图像，其中，所述第一标记在晶圆缺陷扫描图像以及由样品制作机台显示的晶圆形貌图像中可见；步骤B：在所述样品制作机台中根据所述第一标记对晶圆中的缺陷进行定位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
