[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201210529409.3 | 申请日: | 2012-12-06 |
公开(公告)号: | CN103107235A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 杨瑞鹏;张开军;付建明;连春元 | 申请(专利权)人: | 杭州赛昂电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 311215 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法,所述非晶硅太阳能电池的制作方法包括:提供基板;在所述基板的表面形成第一电极层;在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层;在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层;在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层;在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成应力层;在所述应力层表面形成第二电极层。所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法,能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板的表面形成第一电极层;在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层;在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层;在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层;在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成应力层,所述应力层的应力类型与第二掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应;在所述应力层表面形成第二电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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